Circuito de accionamiento de tipo de baja potencia
Descripción general
 Se proporciona un circuito de accionamiento capaz de suprimir el consumo de energía reduciendo la cantidad de carga total y reduciendo la capacitancia de la bomba del voltaje potenciado. ] La señal de carga φC pasa a la lógica baja en la transición de la señal de entrada φK 1 φK 16. El nodo A es cargado a la tensión de suministro de potencia VCC por el inversor G1 de acuerdo con esto, de modo que el nodo de salida N1N16 es precargado a VCC antes de la salida. Cuando se da salida a la señal de salida S1 S16 después de precarga, significa que sólo es necesario reponer la diferencia entre el voltaje elevado VPP y VCC, es causada para reducir la capacitancia de la bomba de la tensión de impulso.
Campo técnico
La presente invención se refiere a un dispositivo de memoria semiconductor, y más particularmente a un circuito de excitación para activar una señal en un dispositivo de memoria semiconductor que usa un voltaje potenciado.
Antecedentes de la técnica
En un dispositivo de memoria de semiconductor reciente, se utiliza una VPP de voltaje elevado de un alto voltaje que se obtiene al aumentar la tensión de la fuente de alimentación VCC para aumentar la velocidad. Es decir, en el dispositivo de memoria de semiconductores, con el fin de aumentar la corriente de un gran número de células de memoria, o para compensar la caída de tensión por el VT tensión umbral del transistor de acceso de la celda de memoria, utilizar un VPP voltaje elevado de aproximadamente VCC + VT .
Para obtener este voltaje reforzado VPP, generalmente se usa un circuito de arranque. En este caso, la corriente consumida por el voltaje potenciado VPP se complementa con el método de arranque, obteniendo de ese modo un voltaje VPP aumentado constantemente. De acuerdo con este método, a medida que aumenta la corriente consumida por el voltaje VPP potenciado, aumenta la cantidad de corriente complementada por el método de arranque. Esto requiere un aumento en la capacitancia de la bomba de carga del circuito de arranque, lo que conduce a un aumento en el tamaño del circuito de arranque.
La figura 1 muestra un circuito de excitación para activar una señal que usa la tensión potenciada VPP mediante dicho circuito de arranque. barra de la señal de entrada Faikei1 barra Faikei16 se convierte en el nivel de tensión de impulso de VPP en el estado activo, la señal complementaria φK1 φK16 se convierte en el nivel de tensión VCC de alimentación en el estado activo. Cada transistor PMOS T1 T16, recibe respectivamente bar una barra de señal de entrada φK1 φK16 la puerta, mediante la aplicación de un voltaje de VPP impulso a su respectiva fuente, y está conectado el desagüe para el nodo de salida N1 N16 respectivamente. Cada transistor NMOS T17 T32 recibe la señal complementaria φK1 φK16 la puerta, la conexión a tierra de la fuente respectiva a la tensión de tierra VSS, y está conectado desagües del nodo de salida N1 N16 respectivamente. Eso, PMOS T16 transistor T1 y el transistor NMOS T17 T32 se está provista de y conectados en serie entre el VPP voltaje elevado y el voltaje de tierra VSS, un nodo de conexión entre los desagües del transistor NMOS T17 T32 T16 del transistor PMOS T1 es Es un nodo de salida N1 N16.
Palabra señal de control de la línea S1 S16 que es la señal de salida del circuito de excitación, cambios de 0V a la VPP voltaje elevado de acuerdo con la barra de señal de entrada Faikei1 bares Faikei16 y las señales complementarias φK1 φK16, por ejemplo, una señal de control línea de palabra de la lógica de nivel 'bajo' Se aplica una señal de control de línea de palabra del nivel lógico 'alto' a la línea de palabra seleccionada, respectivamente, a la línea de palabra no seleccionada. Si la señal de control de línea de palabra S16 es selectivamente dicha señal de control línea de palabra S16 se mantiene a nivel lógico 'bajo', el no seleccionada palabra palabra de señal de control de línea S1 S15 de la línea correspondiente, la lógica de la lógica de 'baja' 'alto' Nivel.
La figura 2 es un diagrama de forma de onda que muestra las temporizaciones de la señal de entrada y la señal de control de línea de palabra. Cuando se selecciona la señal de control de línea de palabras S16, la señal de entrada φK1 φK15 transita desde el nivel 'alto' del nivel VCC de voltaje de la fuente de alimentación al nivel 'bajo'. Como resultado, el transistor NMOS T17 T31 se vuelve no conductor. Por otro lado, la barra de señal de entrada φK 1 bar φK 15 realiza una transición desde el nivel 'alto' al nivel 'bajo' del voltaje VPP potenciado. Como resultado, el transistor PMOS T1 T15 se vuelve conductor. Por lo tanto, la palabra señal de control de línea S1 S15 transita desde el nivel lógico 'bajo' al nivel VPP de voltaje de refuerzo.
Cuando la capacitancia necesaria para cargar la línea de palabra de control de señal S1 es C1, la anchura de oscilación de la línea de palabra de control de señal S1 se .DELTA.VPP, cantidad de carga suministrado desde el VPP tensión de impulso a la señal de control de línea de palabra S1 es la Q1, Q1 = C1 × ΔVPP se mantiene. Por lo tanto, la señal de control línea de palabra de Si que se cargará son N (i = 1,2,3, ..., N) si lo es, la cantidad total de carga se Qtot = Q1 x N = (C1 × ΔVPP) × N . La capacitancia de la bomba del voltaje reforzado VPP debe ser capaz de reponer tal carga total Qtot.
Tarea de solución
Sumario de la invención Es un objeto de la presente invención proporcionar un circuito de accionamiento capaz de suprimir la capacidad de bombeo del voltaje potenciado reduciendo la cantidad de carga total y suprimiendo el consumo de potencia.
Solución
Y en la presente invención para este propósito, en un circuito conductor de un dispositivo de memoria para conducir una señal de entrada usando un voltaje elevado obtenido al aumentar la tensión de alimentación, antes de que la señal de salida generada de acuerdo con una señal de entrada, un terminal de salida y el nivel del suelo Y un alto nivel de la señal de salida. En particular, se caracteriza porque el extremo de salida se precarga utilizando la tensión de la fuente de alimentación. En la presente invención como las formas de realización, la fuente de alimentación un primer transistor dispuesto entre el terminal de salida y el voltaje elevado, un segundo transistor conectado a dicho terminal de salida, hacia el lado de tierra del segundo transistor durante la transición de la señal de entrada Y medios de precarga para proporcionar un voltaje al circuito de excitación. Tal medio de precarga puede estar constituido por un inversor.
Ejemplos
En lo sucesivo, las realizaciones de la presente invención se describirán en detalle con referencia a los dibujos adjuntos. Los mismos números de referencia se usan para partes comunes.
La figura 3 muestra un circuito de accionamiento de acuerdo con la presente invención. El transistor PMOS T1 T16 y el transistor NMOS T17 T32 están conectados en serie de la misma manera que en la técnica anterior. VPP tensión Específicamente, PMOS transistor T1 T16 es impulsado se aplica a cada fuente, que conecta cada uno de drenaje para el nodo de salida N1 N16, y se introducen respectivamente a la barra de la barra de señal de entrada φK1 φK16 a cada puerta. Cada transistor NMOS T17 T32 tiene su drenaje conectado al nodo de salida N1 N16, su fuente conectada al nodo común A, y su puerta que recibe la señal de entrada φ K1 barra φ K16. La señal de control de línea de palabra S1 S16 sale de cada nodo de salida N1 N16.
Al nodo común A, una barra de señal de carga φC es accionada por el inversor G1 y aplicada. También es posible proporcionar el inversor G 1 para cada par de transistores T 1 T 16 y T 17 T 32. La barra de señal de carga φC se puede generar fácilmente utilizando, por ejemplo, una señal estroboscópica de dirección o similar.
La figura 4 muestra diagramas de formas de onda de señal para explicar la temporización de la señal de entrada y la señal de control de línea de palabra en este ejemplo. Como ejemplo, la palabra señal de control de línea S16 se ilustra como un objetivo de selección.
Como se muestra, las barras de señal de carga φC transiciones durante la conmutación de la barra de la barra de señal de entrada φK1 φK16 de la lógica 'alta' a nivel lógico 'bajo', el accionamiento por el G1 inversor de acuerdo con esto, el voltaje del nodo A común Se convierte en el nivel de voltaje de la fuente de alimentación VCC. Como el nodo común A se carga a la tensión de la fuente de alimentación VCC, la tensión del nodo de salida N1N16 se precarga a VCC antes de accionar la línea de palabra. Es decir, la barra de señal de entrada φK1 bar φK16 porque con al nivel lógico VPP 'alto', la tensión VCC de precarga del nodo A común es directamente transferibles a través del transistor NMOS T17 T32. Como resultado, toda la palabra señal de control de línea S1 S16 una vez se eleva al nivel de VCC antes de conducir.
Cuando la barra de señal de carga φC de la barra de conmutación de barra de señal de entrada φK1 φK16 regresa de lógica 'bajo' a nivel lógico 'alto', la señal de control línea de palabra S1 S15 es lógica nivel 'bajo' de la barra de señal de entrada φK1 La palabra señal de control de línea S16 transita a 0V del nivel del suelo mediante la señal de entrada .phi.K16 del nivel lógico 'alto'. En este momento, la cantidad total de carga de suministro Qtot del voltaje VPP potenciado aplicado desde la fuente del transistor PMOS T1 T16 puede ser C1 × (VPP VCC) × N. Es decir, basta con reponer solo la diferencia entre el voltaje VPP potenciado y el nivel de precarga VCC. Como resultado, la carga del circuito de refuerzo cuando se aumenta la señal de control de línea de palabras S1 S16 a la tensión de refuerzo VPP en el funcionamiento del programa (escritura) de una EEPROM o similar se puede reducir en gran medida.
La barra de señal de entrada φK 1 bar φK 16 puede tener un ancho de oscilación del nivel VCC, y el nivel de precarga en este caso es VCC VT, pero esto también logra un efecto suficiente.
Efecto de la invención
De acuerdo con el circuito de excitación de la presente invención, es posible reducir la capacitancia de la bomba de carga para generar la tensión potenciada, y es posible suprimir en gran medida el consumo de potencia.
La figura 1 es un diagrama de circuito que muestra un circuito de excitación convencional.
La figura 2 muestra un diagrama de forma de onda del circuito de la fig.
La figura 3 es un diagrama de circuito que muestra un circuito de accionamiento de acuerdo con la presente invención.
La figura 4 muestra un diagrama de forma de onda del circuito de la figura 3.
Transistor T1 T16 PMOS (primer transistor)
Transistor TOS T17 NMOS (segundo transistor)
Inversor G1
Señal de carga de barra φ C
Reclamo
En el circuito de accionamiento del dispositivo de memoria para conducir la señal de entrada utilizando un voltaje elevado obtenido por impulsar acuerdo con la reivindicación 1 tensión de alimentación, antes de que la señal de salida generada de acuerdo con una señal de entrada, un terminal de salida y el nivel del suelo y el alto nivel de la señal de salida Y un circuito de precarga para precargar una tensión entre dichos primer y segundo transistores.
Un primer transistor dispuesto entre la reivindicación 2 impulsado voltaje y el terminal de salida, un segundo transistor conectado al terminal de salida, una precarga para proporcionar una tensión de fuente de alimentación al lado de tierra del segundo transistor durante la transición de la señal de entrada 2. El circuito de excitación de acuerdo con la reivindicación 1, en el que dicho circuito de excitación comprende:
3. Circuito de accionamiento según la reivindicación 2, en el que el medio de precarga es un inversor.
4. Circuito de accionamiento según la reivindicación 3, en el que la señal de entrada tiene un ancho de oscilación del nivel de voltaje potenciado y el terminal de salida está precargado a la tensión de suministro de potencia.
Dibujo :
Application number :1997-007369
Inventors :三星電子株式会社
Original Assignee :李昇根