Dispositivo de correa de arranque automático
Descripción general
 La presente invención se refiere a un dispositivo para arrancar suficientemente una polarización aplicada a una puerta de manera que un potencial de drenaje de un transistor MOS incluido en un decodificador de un dispositivo de memoria semiconductor que requiere alta integración puede transmitirse a un lado de la fuente. Disposición de la presente invención incluye un primer extremo transistor MOS para la transmisión de la señal, y una puerta de dicho primer transistor Enmosu, se aplica una segunda tensión de alimentación transistor Enmosu a la puerta conectado entre el circuito de decodificación de dirección Donde el segundo transistor NMOS incluye una primera región de difusión formada en una porción predeterminada del sustrato semiconductor, una segunda región de difusión formada para estar separada de la primera región de difusión en una distancia predeterminada, Y un electrodo de compuerta formado en el sustrato semiconductor entre la primera región de difusión y la segunda región de difusión
Campo técnico
La presente invención se refiere a un dispositivo de auto-bootstrap, de polarización aplicado a fondo para el potencial de drenaje del transistor MOS incluido en el decodificador de un dispositivo de memoria de semiconductor que se requiere particularmente alta densidad en la puerta de modo que pueda ser transmitido al lado de la fuente Para arrancar
Antecedentes de la técnica
En el diseño de un decodificador para la decodificación de una línea de palabra en el dispositivo de memoria de semiconductor convencionalmente mejorar la integración del dispositivo de memoria de semiconductores, además, eficazmente las líneas de palabra del dispositivo de memoria por una tensión en una tensión de alimentación o al aumentar el uso de Los dispositivos de autoarranque se han usado ampliamente para que puedan codificarse. las líneas de palabra en un dispositivo de memoria semiconductor (línea de palabras) y Enmosu (NMOS) transistores de forma para la decodificación, está incluido en el controlador de pull-up de la memoria intermedia de salida de datos (DATA OUTBUFFER) (Pull UP conductor), conectado a la tensión de alimentación (Vcc) Para transmitir por completo el potencial en el drenaje al lado de la fuente, se requiere que el potencial de compuerta del transistor Emmos sea mayor que la suma del potencial de drenaje y el voltaje umbral (voltaje umbral). Por lo tanto, como se muestra en la figura 1, hay un método que usa una palanca de cambio de nivel (10) que aumenta el potencial de un nodo específico con un potencial mayor que el voltaje de la fuente de alimentación. La señal impulsada desde este cambio se ingresa a la puerta del transistor NMOS. En este momento, el voltaje es impulsado por el cambiador de nivel (10) (Vpp) es mayor a medida que la fuente o el valor de tensión umbral de la tensión de alimentación es el voltaje máximo que puede tener un drenaje (Vcc) del transistor eno MOS (Q1) Debe ser. Sin embargo, en este caso, existe el problema de que se debe usar una fuente de alimentación separada, y se debe usar una alta tensión de alimentación en una región de alta densidad, que tiene un problema de afectar negativamente a la estabilidad del dispositivo de memoria. Al conectar el desagüe de la otra transistor Enmosu a la puerta del transistor Enmosu como un método para resolver esto, cómo ser auto dinamizan (auto bootstrap) es utilizado por el cambio en la tensión de drenaje de la tensión de puerta de transistor Enmosu . 2, en lugar de la puerta del transistor Enmosu de la Fig. 1 se suministra con una tensión externa en particular es un diagrama de bloques que muestra una auto-arranque Accesorios de teléfonos dispositivo configurado para ser alimentado con una tensión de drenaje del otro transistor Enmosu. En la figura 2, el transistor emmos que requiere el bootstrap es Q2, y la fuente del transistor emmos (Q3) está conectada a la puerta del transistor emmos (Q2). En el que hay un condensador de puerta (C1) de Enmosu transistor (Q2) entre la fuente y la estructura de la puerta en el transistor Enmosu (Q2), entre las puertas de la transistor Enmosu (Q3) de dicho Enmosu transistor (Q2) hay solapamiento de puerta (superposición) condensador (C2) se encuentra en el transistor Enmosu (Q2) de la puerta y Enmosu transistor (Q3) condensador de unión para la región de la fuente n + difusión se forma el p + sustrato de (C3 ) Estará presente. 3A es un diagrama de disposición de un transistor de arranque utilizado en un dispositivo de correa de autoinicio convencional, y la Fig. 3B es una vista en sección transversal tomada a lo largo de la línea AA 'de la Fig. 3A. El transistor incluye dos regiones de difusión n + formadas a intervalos predeterminados en una porción predeterminada del sustrato semiconductor, y un electrodo de puerta formado en el sustrato entre las regiones de difusión n + y similares. Si se tiene en cuenta el funcionamiento del dispositivo de auto-bootstrap que tiene una configuración tal, cuando la unidad de circuito decodificador de dirección por la señal de entrada de dirección (Ai) (20) opera para dar salida a una señal de nivel de tensión de alimentación (Vcc), Enmosu Vcc Vth (Vth: voltaje de umbral) se aplica a la puerta del transistor (Q 2). En este momento, cuando el potencial de drenaje del transistor Enmosu (Q2) se aumenta en el suelo la Vcc Vth es más pequeño que cualquier tensión en (tierra) (Vx), el potencial aplicado a la puerta de la Q2 tiene una puerta del transistor (Q2) Arranque automático atado más alto que Vcc Vth, que es el valor inicial, por el condensador (C1) formado entre la fuente, de modo que el potencial de fuente del transistor emmos (Q2) se eleve. En este momento, dado que el valor potencial entre la puerta y la fuente del transistor Emmos (Q 3) es menor que el valor umbral, se apaga. En este caso, la cantidad de voltaje que sea condensador auto-impulsado solapamiento de puerta (C2), el condensador de unión y (C3), se determina por la correlación entre el condensador de puerta (C1) de dicho Enmosu transistor (Q2). Es decir, el nivel de tensión de autosejecución es proporcional al valor de C1 / (C1 + C2 + C3).
3A
3B
Tarea de solución
Por otro lado, la densidad del dispositivo de memoria de semiconductores es el tamaño del transistor eno MOS (Q2) es más pequeño, es difícil miniaturizar con Enmosu transistor (Q3), así como la relación para una variedad de razones en proceso. Por lo tanto, la capacitancia del condensador de unión (C 3) es relativamente mayor en comparación con el condensador (C 1), por lo que el valor de C 1 / (C 1 + C 2 + C 3) disminuye. Existe el problema de que el nivel de tensión de arranque se reduce. Por lo tanto, nuestro objetivo es aumentar en mayor que aquellos potencial de drenaje combinado y la tensión de umbral del potencial de puerta de Enmosu transistor utilizado en el transistor de transferencia para reducir el volumen del condensador de unión (C3) en un dispositivo de memoria de semiconductor de alta densidad de la presente invención Dispositivo de correa con arranque automático.
Solución
De acuerdo con un primer aspecto de la presente invención, se proporciona un dispositivo de autosejecución que incluye un primer transistor de ems para transmisión de señal, una puerta conectada entre una puerta del primer transistor emos y una porción de circuito de decodificador de dirección, Donde el segundo transistor NMOS comprende una primera región de difusión formada en una porción predeterminada del sustrato semiconductor y una segunda región de difusión formada alrededor de una periferia de la primera región de difusión, Una segunda región de difusión formada para separarse de la primera región de difusión, y un electrodo de puerta formado en el sustrato semiconductor entre la primera región de difusión y la segunda región de difusión. La segunda característica del aparato de auto-arranque de la presente invención con el propósito logrado, fuente de alimentación y los primeros transistores Enmosu para la transmisión de la señal, y una puerta de dicho primer transistor Enmosu, una puerta conectada entre el circuito de decodificación de dirección Y un segundo enemostransistor al que se aplica un voltaje, en el que dicho segundo transistor de ems comprende una primera región de difusión fuertemente dopada y una baja concentración de dopaje Y un electrodo de compuerta formado en el sustrato entre la primera y la segunda regiones de difusión. Los anteriores y otros objetos y características y ventajas de la presente invención serán más evidentes a través de la siguiente descripción detallada junto con los dibujos adjuntos.
Efecto de la invención
Como se describió anteriormente, tiene la ventaja en transistor MOS que tiene una función de auto bootstrap de la presente invención puede ser suficientemente procesos y técnicas de fabricación existente, reduciendo la capacidad de la unión debido a la región n + difusión formada en la P + sustrato , Existe la ventaja de que el bootstrapping se puede realizar de manera eficiente en un dispositivo semiconductor de alta densidad. formas de realización de ejemplo de la presente invención ha sido descrita con fines ilustrativos, varias modificaciones a través del espíritu y alcance de la invención como se describe en las reivindicaciones que se acompañan por los expertos en la técnica, cambios, sustituciones y La adición es posible.
La figura 1 es un diagrama esquemático que muestra un ejemplo de un dispositivo de flejado automático de arranque automático. La figura 2 es un diagrama esquemático que muestra otro ejemplo de un dispositivo de correa de arranque automático convencional. La figura 3A es un diagrama de disposición de un transistor de arranque que constituye un dispositivo de correa de arranque automático convencional. 3B es una vista en sección transversal tomada a lo largo de la línea AA 'de la figura 3A. La figura 4 es un diagrama de disposición de un transistor de arranque que constituye un dispositivo de auto-arranque de acuerdo con la presente invención. La figura 5 es una vista en sección transversal de un transistor de arranque de acuerdo con una primera realización de la presente invención. La figura 6 es una vista en sección transversal de un transistor de arranque de acuerdo con una segunda realización de la presente invención. La figura 7 es una vista en sección transversal de un transistor de arranque de acuerdo con una tercera realización de la presente invención.
3A
3B
Q1, Q2, Q3 Emos transistor parte del circuito de cambio de 10 niveles
20 Dirección del circuito del decodificador sección 30 Contacto
40, 40 'drenaje 50, 50' fuente
60 puertas
Reclamo
se aplica auto-arranque que comprende un primer extremo transistor MOS para la reivindicación 1 transducción de señales, y la puerta de dicho primer transistor Enmosu, y una segunda tensión de alimentación transistor Enmosu a la puerta conectado entre el circuito de decodificación de dirección En el dispositivo de paso, el segundo transistor NMOS incluye una primera región de difusión formada en una porción predeterminada del sustrato semiconductor, una segunda región de difusión formada para separarse de la primera región de difusión en una distancia predeterminada, Y un electrodo de compuerta formado en el sustrato semiconductor entre las segundas regiones de difusión.
2. Dispositivo de correa de autoinicio según la reivindicación 1, en el que se forma un contacto en la primera región de difusión del segundo transistor estampado.
3. El aparato de autosejecución de acuerdo con la reivindicación 1, en el que la primera y la segunda región de difusión del segundo transistor emos están fuertemente dopadas respectivamente.
4. Autoencendido según la reivindicación 2, en el que el electrodo de compuerta, la primera región de difusión y la segunda región de difusión del segundo transistor emos están formados en una estructura rectangular o escalonada que rodea el contacto Dispositivo de correa.
5. Dispositivo de correa de autoinicio según la reivindicación 1, en el que la primera región de difusión está ligeramente dopada y la segunda región de difusión está fuertemente dopada.
6. El dispositivo de correa de arranque automático de acuerdo con la reivindicación 5, en el que se forma un contacto en la primera región de difusión del segundo transistor emos.
7. El autoarranque según la reivindicación 5, en el que el electrodo de compuerta, la primera región de difusión y la segunda región de difusión del segundo transistor emos están formados en una estructura rectangular o anular que rodea el contacto Dispositivo.
se aplica auto-arranque que comprende un primer extremo transistor MOS para la reivindicación 8 de señalización, y la puerta de dicho primer transistor Enmosu, y una segunda tensión de alimentación transistor Enmosu a la puerta conectado entre el circuito de decodificación de dirección en el dispositivo de correa, y el segundo transistor Enmosu la primera región de difusión y la baja dopado segundas zonas de difusión, que están fuertemente dopado están formadas a intervalos predeterminados sobre un sustrato semiconductor, la primera, segunda Y un electrodo de compuerta formado en el sustrato entre las regiones de difusión.
Dibujo :
Application number :1996-340050
Inventors :現代電子産業株式会社
Original Assignee :▲ジユン▼昌鎬、柳▲ホイ▼峻、朴起雨