Método de corrección de forma de patrón
Descripción general
 De este modo, se realiza un método de corrección de forma de patrón capaz de ampliar o reducir parcialmente un patrón de figura. Esto realiza un sistema de diseño automático capaz de corregir parcialmente la porción de punta del patrón de máscara o similar, y suprime la desviación dimensional en el procesamiento de litografía o similar. ] Define la distancia más corta como las dimensiones gráficas para cada uno del otro lado del punto p en cada lado del sujeto al patrón, cada lado del punto de p el tamaño gráfico es igual o menor que un valor predeterminado como un punto de división de lado en una pluralidad de laterales divididas Divide. El proceso de corrección de patrón de la forma, y ​​el paso ST1 para ajustar la cantidad de corrección de cada lado dividido, un paso ST2 para calcular la dimensión forma en el punto p en cada lado, un paso ST3 para calcular los puntos de división borde de cada lado, cada lado la ST4 etapa para obtener la pluralidad dividida de lado dividido en ese punto de división lado, un paso ST5 la asignación de una cantidad de corrección para cada una de la parte dividida, una traducción paso ST6 de acuerdo con la cantidad de corrección de cada lado dividido, después de movimiento Y un paso ST 7 de conexión de los lados divididos de la FIG.
Campo técnico
La presente invención se refiere a un método para corregir una forma de patrón, por ejemplo, se refiere a una técnica que es particularmente eficaz para usar en la corrección de una forma de un patrón de máscara en un sistema de diseño automático de un circuito integrado semiconductor.
Antecedentes de la técnica
Existe un sistema de diseño automático que diseña eficientemente un patrón de máscara, etc., de un circuito integrado de semiconductor mediante la aplicación de tecnología CAD (Computer Aided Design). Además, se conoce una técnica de litografía (exposición) para formar un patrón de una región de semiconductor, cableado o similar con alta precisión sobre un sustrato semiconductor usando un patrón de máscara.
Tarea de solución
En los últimos años, el grado de miniaturización de integración de circuitos integrados semiconductores progresa, un proceso litográfico utilizando un patrón de máscara, la desviación dimensional entre el patrón de acabado formado en realidad sustrato semiconductor y patrones de diseño es un problema . Esto es, por ejemplo, la Fig. 11 el caso de formar un cableado y similares sobre un sustrato semiconductor usando un patrón de máscara diseñada en un patrón rectangular como se muestra en (a), como se muestra en la Fig. 11 (b), la punta de la configuración terminada La parte se deforma por difracción o similar a la luz y se contrae. Además, para hacer frente a esto, como se ilustra en la Fig. 11 (c), más grueso corregida por adelantado manualmente la porción de punta del patrón de máscara, se toma un método de cancelación de la desviación dimensional, a circuitos integrados de semiconductores gran Se está convirtiendo en un método irreal porque es necesario tener un tiempo inaceptablemente largo bajo las escalas actuales. Además, algunos sistemas de diseño automático tienen un sistema que tiene una función de ampliación / reducción de gráficos como se describe en 'Informe de investigación de la sociedad de procesamiento de información 90 DA 51 5' emitido el 20 de febrero de 1990, por ejemplo. Dado que el sistema amplía o reduce el patrón objetivo como un todo y de manera uniforme, no es adecuado como contramedida para la desviación dimensional parcial como se describió anteriormente.
Un objeto de la presente invención es proporcionar un método de corrección de forma de patrón capaz de agrandar o reducir parcialmente una parte de un patrón de figura. Otro objeto de la invención es realizar automática parte sistema de diseño parcialmente y de forma automática se puede corregir un patrón tal máscara es la de suprimir la desviación dimensional en un proceso de litografía de un circuito integrado semiconductor.
Los objetos anteriores y otros y las características novedosas de la presente invención se harán evidentes a partir de la descripción de esta especificación y los dibujos adjuntos.
Solución
El esquema de los representativos de las invenciones divulgadas en la presente solicitud se describirá brevemente de la siguiente manera. Es decir, el sistema de diseño automático o similar, para ser utilizados para el diseño de un patrón tal máscara de un circuito integrado semiconductor, define la distancia más corta como las dimensiones gráficas para cada uno del otro lado del punto p en cada lado de la estructura de interés, las dimensiones gráficos dan dividiendo el punto p se convierte en un valor inferior a cada lado en una pluralidad de laterales divididas como el punto de división lateral, dividiendo con ello el borde en el lado de borde de cada punto de la división lateral que tiene una función de corrección de forma de patrón simplemente cantidad de corrección predeterminada traducida , El procesamiento de corrección de forma de patrón se divide en un primer paso para establecer cantidades de corrección de lados divididos, un segundo paso de cálculo de dimensiones gráficas en un punto p de cada lado, un paso de cálculo de un punto de división lateral de cada lado Un cuarto paso de dividir cada lado en el punto de división lateral para obtener una pluralidad de lados divididos, un quinto paso de asignar una cantidad de corrección a cada uno de los lados divididos, un paso de corregir cada uno de los lados divididos De acuerdo con la cantidad Implementado por séptima etapa de conexión de una sexta etapa de movimiento de la fila, el lado dividido después del movimiento.
De acuerdo con los medios anteriores, es posible realizar un método de corrección de patrón de forma capaz de escalar una parte del patrón gráfico parcialmente, de forma automática una parte de un patrón tal máscara puede ser corregido parcialmente y de forma automática Es posible realizar el sistema de diseño y suprimir la desviación dimensional en el proceso de litografía y similares del circuito integrado de semiconductores.
La figura 1 muestra un diagrama de flujo de una realización de un proceso de corrección de forma de patrón en un sistema de diseño automático al que se aplica la presente invención, y la figura 2 muestra un diagrama de flujo de una realización de un patrón de máscara. Se muestra una vista de plano. La Fig. 3 es un diagrama de resultados de una realización después de ajustar la cantidad de corrección en el paso ST1 del procesamiento de corrección de forma de patrón de la Fig. 1, y la Fig. 3, Fig. 6, Fig. 7, Fig. 8, el diagrama de concepto, diagrama esquemático de una realización de un proceso de cálculo de punto de división lado en el paso ST3, el diagrama resultado de una forma de realización de la división post-lado en el paso ST4 de una realización de un procesamiento de cálculo dimensión gráfico en el paso ST2, el paso Un diagrama de resultados de una realización después de la asignación de cantidad de corrección en ST 5, un diagrama conceptual de una realización de procesamiento de movimiento de borde dividido en la etapa ST 6 y un diagrama conceptual de una realización de procesamiento de conexión de borde en la etapa ST 7. En base a estas figuras, se describirá el procedimiento de procesamiento del procesamiento de corrección de forma de patrón en el sistema de diseño automático de esta realización, el esquema de procesamiento de cada paso y las características del mismo.
En la figura 1, el procesamiento de corrección de forma de patrón en el sistema de diseño automático de esta realización se inicia con el procesamiento de ajuste de cantidad de corrección en el paso ST1. Aquí, el primer patrón sea proceso de patrón de forma de corrección, un patrón de máscara para la formación de cableado del circuito integrado semiconductor, como se muestra en la Fig. 2, la longitud de la longitudinal que los lados cortos v2 y v4 La longitud de la unidad d se establece como un patrón rectangular en el que el lado lateral, es decir, la longitud de los lados largos v 1 yv 3 es 10 veces la longitud de la unidad d, es decir, 10 d. En esta realización, la longitud d de la unidad no está particularmente limitada sino que está ajustada a 0,8 μm (micrómetro). Por lo tanto, las longitudes de los lados cortos v 2 y v 4 del patrón de máscara son 0.8 μm y las longitudes de los lados largos v 1 y v 3 son 8.0 μm. Por otro lado, en esta realización, la cantidad de corrección establecido en el paso ST1, como se muestra en la Fig. 3, + 0,2 [mu] m cuando el tamaño de gráfico de lado dividido de interés en el rango de 0 + 0,4 m, 0 0 Cuando el valor absoluto del tamaño de la figura del lado dividido del sujeto excede 0.4 μm, ambos se ponen a cero. El significado de los lados divididos y sus dimensiones gráficas se describirán más adelante en detalle. También, el tamaño de gráfico, que está representado por un número, es decir + positivo cuando se calcula como longitud líneas que pasan por el patrón es representado por un número negativo que es cuando se calcula como la longitud de la línea recta que pasa a través del patrón externo . Además, la cantidad de corrección como una cantidad de movimiento de cada lados divididas, números positivos están representados por, se mueve hacia el interior del patrón del patrón cuando es así decirlo patrón se desplaza se amplía hacia el exterior del patrón Está representado por un número negativo cuando se reduce.
Cuando se completa el ajuste de la cantidad de corrección en el paso ST 1, se realiza el procesamiento de cálculo del tamaño de figura en el paso ST 2 para cada lado v 1 v 4 en el que se forma el patrón de máscara. En este momento, la v4 v1 lado, como se ilustra en la Fig. 4, por ejemplo, el punto P se supone a una distancia x al extremo izquierdo como punto de partida, la distancia más corta entre el punto p y el otro de cada lado Se calcula el tamaño de la figura s del lado v 1 v 4. Así, por ejemplo, cuando se centra en los lados v1 del patrón de máscara, el tamaño de la figura, como se muestra en la Fig. 5, si el punto P está en el origen, se convierte en cero extremo inferior de los lados adyacentes v2 se convierte en la distancia más corta, el punto p Se encuentra en la posición de 8.0 μm desde el punto inicial, el extremo inferior del lado adyacente v 4 se convierte en la distancia más corta nuevamente a cero. Además, si el punto P está entre 0,8 7,2 [mu] m desde el punto de partida, los lados d obstrucción 0,8 [mu] m próximo distancia se convierte en la más corta a V3, 0 0,8 [mu] m y el punto p del origen 7.2 8 , La distancia al lado v 2 o el extremo inferior del lado 4 es la más corta y toma un valor entre 0 0.8 μm o 0.8 0 μm. Para edge v2 v4, se calcula de la misma manera, por lo que debe hacer analogías. Además, dado que las dimensiones gráficas de estos lados se calculan como la longitud de una línea recta que pasa por el patrón, todas son positivas, es decir, valores positivos.
A continuación, en el paso ST 3, el procesamiento de cálculo de los puntos de división de los bordes se realiza en función de la cantidad de corrección establecida en el paso ST 1. Por lo tanto, los lados v1 que constituye el patrón de máscara, como se muestra en la Fig. 5, las dos partes divididas puntos p12 y p14 se calculan en una posición donde el tamaño gráfico se determina el valor, es decir, cantidad de corrección de 0.4μm , Edges v 2, v 3 y v 4, un total de cuatro puntos de división laterales p 21, p 32 y p 34 y p 41 se calculan como se muestra en la figura 6. Por otro lado, en el paso ST4, basado en el p12 puntos de división borde y p14, que se calculan por el paso ST3, el procesamiento de división de los v1 bordes se lleva a cabo, se obtienen los dividido tres v11 lado, v12 y v13. De manera similar, el lado v 2 está dividido en dos lados divididos v 21 y v 22 con el punto divisorio lateral p 21 como límite, y los lados v 3 y v 4 están divididos en tres o dos lados divididos v 31 , V32 y v33 o v41 y v42.
Aquí, los bordes de división v 11 v 13, v 21 v 22, v 31 v 33 y v 41 v 42 obtenidos por el procesamiento de división lateral en el paso ST 4 reciben la asignación de la cantidad de corrección en el paso ST 5. Por lo tanto, la v11 lado dividido y v13 en el lado de borde de la p12 puntos de división borde y p14 en las v1 lados, como se muestra en la Fig. 7, ya que el tamaño gráfico toma un valor positivo pequeño de 0,4 m, Ambos están asignados + 0.2 μm en la dirección del eje y, es decir, cantidades de corrección hacia abajo. Además, la v21 lado dividido y v22 en el lado de borde de la p21 puntos de división de borde en lados v2, también porque el tamaño gráfico toma un valor positivo pequeño de 0,4 m, la dirección del eje x + 0.2 [mu] m, es decir, la izquierda Están asignados a cada uno de ellos. Del mismo modo, la v31 lado dividido y v33 en el lado de borde de la p32 puntos de división borde y P34 en los lados y v3, eje y dirección + 0,2 [mu] m, que sus dimensiones de forma a fin de tener un valor positivo pequeño de 0.4μm cantidad de corrección de ascendente se asignan respectivamente a la v41 lado dividido y v42 en el lado de borde de la p41 puntos de división de borde en lados v4, también eje x las dimensiones figura con el fin de tomar un valor positivo pequeño de 0.4μm + 0.2 μm, es decir, se asigna una cantidad de corrección a la derecha. Los lados de división v 12 y v 32 en el lado interno de cada punto de división lateral se establecen en valores cuyo tamaño de figura es mayor que 0,4 μm, por lo que la cantidad de corrección asignada es cero.
De aquí en adelante, como se muestra en la Fig. 8, dividiendo el procesamiento de transferencia de borde en el paso ST6 se realiza, v11 lado dividido y v13 se mueve paralelo por la cantidad de corrección, es decir 0.2μm hacia abajo del eje Y, v21 lado dividido y v22 se traduce a la izquierda del eje x por la cantidad de corrección, es decir, 0.2 μm. Además, v31 lado dividido y v33 solamente se traducen la cantidad de corrección, es decir 0.2μm hacia arriba del eje Y, dividido v41 lado y V42 son traducidas por la cantidad de corrección, es decir 0.2μm en el hacia la derecha del eje x. Entonces, como se muestra en la figura 9, mediante el procesamiento de conexión lateral en el último paso ST 7, los intersticios generados debido al movimiento paralelo de estos lados divididos se interpolan, los lados divididos respectivos se conectan entre sí, Es posible obtener un patrón corregido parcialmente ampliado. No hace falta decir, el patrón de post-corrección, que se corresponde con el patrón de la Fig. 11 (c), mediante la realización de un proceso de litografía usando esto como una máscara, para suprimir la desviación dimensional del cableado o similares, y consistente con el patrón de diseño Se puede obtener un patrón de cableado.
La figura 10 es una vista en planta de un patrón de máscara que se someterá al proceso de corrección de forma de patrón de la figura 1 antes y después de la corrección en otra realización. Como este patrón de máscara sufre un proceso de corrección de forma de patrón en las mismas condiciones que el patrón de máscara de la figura 2, solo se agrega una diferencia con respecto a esto.
En la figura 10, el patrón de máscara de esta realización consiste en un total de seis lados v 1 v 6 con el lado v 1 como base. De estos, el v1 lado que la base tiene una longitud de 8d es decir, 6,4 m, los otros lados v2, v3, v4, v5 y v6, respectivamente d, 4d, 3d, 4d y 4d, es decir 0.8μm , 3,2 μm, 2,4 μm, 3,2 μm y 3,2 μm.
Aquí, los lados v1 v6 que constituyen el patrón de máscara se somete al proceso de cálculo de dimensión gráfico en el paso ST2 ST4, el procesamiento división lado de procesamiento de cálculo de punto y división borde, los lados de la división v11 v13, v22 v21, v33 v31, v43 v41, v51 v 53 y v 61 v 63. Además, dividido v13 v11 lado excepto v33 dividido borde y V41, V22 V21, V32 V31, V43 V42, V53 V51 y V61 El V63, + 0,2 [mu] m a un valor positivo para el tamaño gráfico es 0 + 0,4 um que se asigna la cantidad de corrección de la dirección de expansión, a la v33 lado dividido y v41 es, 0,2 [mu] m, es decir, para tomar un valor negativo que el tamaño gráfico se convierte en 0 0,4 um se calcula como la longitud de la línea recta que pasa a través del patrón externo Se asigna una cantidad de corrección en la dirección de reducción.
Por lo tanto, v13 dividido v11 lado, v22 v21, v32 v31, v43 v42, v53 V51 y V63 V61 es, que hacia el exterior de la pauta de máscara es paralelo movido con el fin de agrandar un patrón de máscara, v33 lado dividido y V41 son es decir, hacia el interior de la pauta de máscara es ser movimiento paralelo a fin de reducir el modelo de máscara, y que resultan en ampliación parcial y la reducción de la pauta para evitar la desviación dimensional en el procesamiento litográfico se puede realizar.
La acción y el efecto obtenidos a partir de los ejemplos anteriores son los siguientes. Es decir,
(1) el sistema de diseño automatizado o similar para ser utilizado para el diseño de un patrón tal máscara de un circuito integrado semiconductor, define la distancia más corta como las dimensiones gráficas para cada uno del otro lado del punto p en cada lado de la estructura de interés, el tamaño gráfico dividiendo cada lado en una pluralidad de lado dividido un punto p se convierte en un valor predeterminado o menos como los lados punto de división, para el lado dividido en el lado del borde de cada punto de división lateral que tiene una función de corrección de forma de patrón simplemente cantidad de corrección predeterminada traducida , El procesamiento de corrección de forma de patrón se divide en un primer paso para establecer cantidades de corrección de lados divididos, un segundo paso de cálculo de dimensiones gráficas en un punto p de cada lado, un paso de cálculo de un punto de división lateral de cada lado Un cuarto paso de dividir cada lado en el punto de división lateral para obtener una pluralidad de lados divididos, un quinto paso de asignar una cantidad de corrección a cada uno de los lados divididos, un paso de corregir cada uno de los lados divididos Traducir según cantidad Y un séptimo paso de conectar los lados divididos después del movimiento, es posible realizar un método de corrección de forma de patrón capaz de ampliar / reducir parcialmente una parte del patrón de figura .
(2) De acuerdo con el punto (1) anterior, es posible realizar un sistema de diseño automático capaz de corregir parcial y automáticamente la parte de punta de un patrón de máscara o similar.
(3) De acuerdo con los puntos (1) y (2) anteriores, es posible suprimir la desviación dimensional en el proceso de litografía o similar del circuito integrado de semiconductores.
Anteriormente, la presente la invención hecha por el [inventor] ha descrito en detalle en base a las formas de realización, la invención no se limita a las realizaciones anteriores, y son posibles varias modificaciones sin apartarse del alcance de la invención No hace falta decirlo. Por ejemplo, en la figura 1, cada etapa del proceso de corrección de forma de patrón puede ser una sola etapa combinando partes relacionadas, y el flujo de procesamiento específico de la misma no está sujeto a la restricción de esta realización. En las figuras 2 a 10, la longitud de unidad d del patrón de máscara puede tomar cualquier valor distinto de 0,8 μm. Además, la división de cada lado de la pauta de máscara, en particular, a la necesidad de no realizar la posición en la que el tamaño gráfico es 0.4μm como punto de división borde, la cantidad de corrección como una cantidad de movimiento de cada lado dividido también ser fijado arbitrariamente Tu puedes
En la descripción anterior ha descrito el caso de la aplicación de la invención hecha por presente principalmente [inventor] para dar forma a proceso de corrección del sistema de diseño automática y el mismo patrón de máscara del circuito integrado semiconductor es un campo como el fondo, se Por ejemplo, varios tipos de procesamiento de corrección de patrones utilizados en cada proceso de fabricación del circuito integrado de semiconductores, varios sistemas de diseño automático para el diseño automático de estos patrones o la conversión de datos de patrones, y un sistema de conversión de datos de patrones Y cosas por el estilo La presente invención se puede aplicar ampliamente como un sistema que requiere un proceso de corrección de forma de patrón para suprimir al menos una desviación dimensional y un método para corregir la forma del patrón del mismo.
Efecto de la invención
Los efectos obtenidos por los representativos de las invenciones divulgadas en la presente solicitud se describirán brevemente de la siguiente manera. Es decir, el sistema de diseño automático o similar, para ser utilizados para el diseño de un patrón tal máscara de un circuito integrado semiconductor, se define la distancia más corta como las dimensiones gráficas para cada uno del otro lado del punto p en cada lado de la estructura de interés, esta dimensión forma dividiendo cada lado en una pluralidad de lado dividido un punto p se convierte en un valor predeterminado o menos como los lados punto de división, para el lado dividido en el lado del borde de cada punto de división lateral que tiene una función de corrección de forma de patrón simplemente cantidad de corrección predeterminada traducida juntos, este proceso de corrección de patrón de forma, calcula primero una primera etapa de establecer una cantidad de corrección de lado dividido, una segunda etapa de cálculo de una dimensión figura en un punto P de los lados respectivos, los lados punto de cada lado divisorias Un cuarto paso de dividir cada lado en el punto de división lateral para obtener una pluralidad de lados divididos, un quinto paso de asignar una cantidad de corrección a cada uno de los lados divididos, un paso de corregir cada uno de los lados divididos De acuerdo a la cantidad Realizar el sexto paso de traducir la parte del patrón de figura y el séptimo paso de conectar el lado dividido después del movimiento para realizar un método de corrección de forma de patrón capaz de ampliar parcialmente y reducir una parte del patrón de figura Tu puedes hacer En consecuencia, para lograr el diseño del sistema automático de la punta o similares pueden ser parcialmente y corregir automáticamente un patrón tal máscara, es posible suprimir la desviación dimensional en un proceso de litografía de un circuito integrado semiconductor.
La figura 1 es un diagrama de flujo que muestra una realización del procesamiento de corrección de forma de patrón en un sistema de diseño automático al que se aplica la presente invención.
La figura 2 es una vista en planta antes de la corrección que muestra una primera realización de un patrón de máscara que se someterá al proceso de corrección de forma de patrón de la figura 1.
La figura 3 es un diagrama de resultados que muestra una realización después de establecer la cantidad de corrección en el paso ST1 del procesamiento de corrección de forma de patrón de la figura 1.
La figura 4 es un diagrama conceptual que muestra una realización de un proceso de cálculo de tamaño de figura en el paso ST 2 del proceso de corrección de forma de patrón de la figura 1.
La figura 5 es un diagrama conceptual que muestra una realización del procesamiento de cálculo de punto de división de borde en el paso ST3 del procesamiento de corrección de forma de patrón de la figura 1.
La Fig. 6 es un diagrama de resultados que muestra una realización después de la división del borde en la etapa ST 4 del procesamiento de corrección de la forma del diseño de la Fig. 1. La FIG.
La figura 7 es un diagrama de resultados que muestra una realización después de la asignación de la cantidad de corrección en el paso ST 5 del procesamiento de corrección de forma de patrón de la figura 1.
La figura 8 es un diagrama conceptual que muestra una realización del procesamiento de movimiento de borde dividido en el paso ST 6 del procesamiento de corrección de forma de patrón de la figura 1.
La figura 9 es un diagrama conceptual que muestra una realización del procesamiento de conexión de borde en la etapa ST 7 del procesamiento de corrección de forma de patrón de la figura 1.
La figura 10 es una vista en planta que muestra una segunda realización de un patrón de máscara para someterse al proceso de corrección de forma de patrón de la figura 1 antes y después de la corrección.
La figura 11 es un diagrama conceptual que muestra un ejemplo de procesamiento de corrección de forma de patrón mediante un sistema de diseño automático convencional.
Fig. 8 ... Paso de procesamiento de corrección de forma de patrón ST1 ST7. lados v6 V1, d unidad patrón de longitud, p12, p14, p21, p32, p34, p41 lados del punto de división, V13 V11, V22 V21, V33 V31, V43 V41, V53 V51, V61 V63 split-borde.
Dibujo :
Application number :1996-153136
Inventors :株式会社日立製作所
Original Assignee :植田照生