Método para fabricar inductor en espiral
Descripción general
 Debido a la reducción de la resistencia parásita está controlado de manera que puede aumentar el espesor de la capa de chapado de oro de oro chapado patrones conductores. ] Se forma un patrón de cableado 3 de una capa de metal de compuerta que tiene un ancho ligeramente ancho sobre el sustrato 1. La película de óxido 2 está formada para cubrir el patrón de cableado 3. Después de la película de óxido 2 en la porción correspondiente a la anchura interior del patrón de cableado 3 se elimina por ataque químico para formar una capa de alimentación de energía 5 en toda la superficie. De este modo, formando un patrón de la fotorresistencia 6. La capa de recubrimiento de oro 4 se forma selectivamente usando el patrón de la fotoprotección 6 como una máscara. La resina fotosensible 6 se retira, para eliminar las partes innecesarias de la capa de alimentación 5 en la porción distinta de la capa de chapado de oro 4 una capa de chapado en oro 4 como una máscara.
Campo técnico
La presente invención se refiere a un método de fabricación de un inductor espiral, un método de fabricación de un inductor espiral utilizado como un elemento de inductancia para microondas monolítico IC, en particular, formada sobre un sustrato semiconductor.
Antecedentes de la técnica
Método para la fabricación de inductores en espiral convencionales de este tipo, como se muestra en la Fig. 3 (A), el patrón conductor 10 de un recubrimiento de oro en forma de tira sobre el sustrato 1 de arseniuro de galio se formó a intervalos regulares de la espiral. estructura en sección transversal del inductor espiral debido al método de fabricación convencional, como se muestra en la Fig. 3 (B), sobre un sustrato 1 de arseniuro de galio, película de óxido 2 se forma, la alimentación para el chapado de oro sobre toda la superficie de la película de óxido 2 las capas 5 por pulverización catódica, una capa de chapado en oro 4 fue que se forman selectivamente sobre la capa de alimentación 5.
A continuación, se describirá el proceso de fabricación en el método de fabricación convencional del inductor espiral.
Figura 4A D es una vista en sección que muestra un ejemplo de una etapa de fabricación en un procedimiento de fabricación de un inductor espiral convencional.
En primer lugar, como se muestra en la Fig. 4A, toda la superficie de la película de óxido 2 utilizado como una película de protección contra los elementos, tales otro FET formados sobre el sustrato 1, la deposición de una capa metálica conductora que forma la capa de alimentación 5 . A continuación, como se muestra en la Fig. 4B, la formación de la capa de chapado en oro 4 parte que está recubierto con la resina fotosensible 6, excepto una parte del patrón de inductor espiral predeterminado realizar el tratamiento aislante. A continuación, como se muestra en la Fig. 4C, por la activación de la capa de la fuente de alimentación 5 se forma selectivamente capa de chapado en oro 4. A continuación, como se muestra en la Fig. 4D, se retira el fotoprotector 6, que además, era que la parte inferior de la capa de la fuente de alimentación 5 también se elimina mediante un método tal como molienda de iones.
4A
4B
4C
4D
En el horno de microondas monolítico IC, una resistencia parásita de la bobina en espiral, es necesario reducir tanto como sea posible la resistencia parásita de modo causa la degradación del rendimiento de la atenuación o la señal de paso similares. La reducción de la resistencia parásita, es que es necesario aumentar el área de sección transversal por el aumento de la anchura y el espesor de la capa de chapado en oro.
Tarea de solución
Método para la fabricación de inductores en espiral convencionales descritos anteriormente, cuando el propósito de reducir la resistencia parásita se realiza en un incremento en el área de la sección transversal de la capa de chapado en oro en un mayor ancho de la capa de chapado en oro, una gran área requerida inductor espiral formada Tenía el inconveniente de convertirse.
Además, cuando el aumento del área de sección transversal de la capa de chapado de oro en el aumento del espesor de la capa de chapado en oro, hay un límite para el patrón de control de la perpendicularidad de la resina fotosensible, que excede el espesor típico de 2 micras por encima de patrón fotorresistente redondeada porque las esquinas de los bordes se pueden hacer de mantenimiento en la fuente de alimentación mediante la proyección de su borde superior transversalmente con respecto a su forma de nuevo a la capa de chapado en oro se transfiere, la separación entre los estrechos patrón chapado cruz de oro adyacente tiene el inconveniente de que genera reducción en el rendimiento debido a un problema tal como causa cortocircuitos eléctricos cuando el proceso de eliminación de la capa.
Solución
Método de fabricación de un inductor espiral de la presente invención forma un primer modelo de conductor de un segundo amplio primera anchura predeterminada que la anchura del primer material conductor que tiene una forma deseada sobre una superficie principal del sustrato semiconductor, dicha película aislante se forma primero en la totalidad de dicha superficie principal para cubrir el patrón conductor, y la eliminación de la película aislante en una porción de dicha segunda anchura en la primera plantilla de conductor, primero por una superficie principal la formación de una capa conductora de segundo material conductor, en el que el material de resina fotosensible se aplica a la capa de conductores, el segundo chapado selectivamente el segundo del material de resina fotosensible se eliminó tercera porción de material conductor de la anchura Para formar un patrón de conductor.
Las realizaciones de la presente invención se describirán ahora con referencia a los dibujos.
La Figura 1 es una vista en sección transversal parcial de un chip semiconductor que muestra una realización de un método para la fabricación de un inductor espiral de la presente invención.
Método de fabricación de un inductor espiral de la presente realización, como se muestra en la Fig. 1, la capa de puerta de metal es una capa de metal que forma la porción de puerta del FET en el microondas monolítico IC formada sobre un sustrato 1 de arseniuro de galio la capa de metal misma puerta 3, y la película 2 que incluye una capa de óxido de puerta de metal 3 se forma sobre el sustrato 1, la capa de alimentación 5 para la formación de chapado de oro sobre la capa de puerta de metal 3, sobre la capa de fuente de alimentación 5 Y una capa de recubrimiento de oro 4 formada sobre ella.
A continuación, se describirá el proceso de fabricación de esta realización.
Figura 2A es una vista en sección parcial que muestra un ejemplo de una etapa de fabricación en un procedimiento de fabricación de un inductor espiral de la presente realización.
En primer lugar, como se muestra en la Fig. 2A, una capa de puerta de metal en toda la superficie del sustrato 1, técnicas fotolitográficas por capa de metal puerta ligeramente más ancha simultáneamente con la forma de los patrones de inductor espiral y de puerta de los FET cableado De este modo formando un patrón 3. Para incluir los patrones de cableado 3, para formar una película de óxido 2 utilizado como una película de protección contra los elementos, tales como otro FET. El patrón de cableado 3, no se puede formar sobre el sustrato 1 de arseniuro de galio directamente los patrones de cableado superiores de basado en el oro, se usa como un soporte para su guía. A continuación, como se muestra en la Figura 2B, la anchura del patrón del inductor espiral deseada que es, después de la película de óxido 2 en la porción correspondiente a la anchura interior del patrón de cableado 3 se elimina por ataque químico la superficie entera de la capa de alimentación 5 mediante pulverización catódica o similar . A continuación, como se muestra en la figura 2C, para formar un patrón de material fotorresistente 6 por técnicas fotolitográficas. A continuación, como se muestra en la Fig. 2D, el patrón de máscara de la resina fotosensible 6, formando selectivamente una capa de chapado en oro 4. A continuación, como se muestra en la Fig. 2E, una resina fotosensible 6 se retira, las partes innecesarias de la capa de alimentación 5 en la porción distinta de la capa de chapado de oro 4 se elimina mediante un método tal como molienda ion capa de chapado en oro 4 como una máscara.
2A
2B
2C
2D
2E
Efecto de la invención
Como se describió anteriormente, el método de fabricación del inductor espiral de la presente invención, para formar un primer patrón conductivo en el primer material conductor de la capa de puerta de metal o similar de la FET, la película aislante formada de una película de óxido o similares como un espaciador que conduce a un efecto de formación de una capa de recubrimiento que tiene un espesor suficiente para reducir la resistencia parásita por la supresión de la difusión del borde superior de la capa de recubrimiento del tercer material conductor, tal como se utiliza oro.
Breve descripción de los dibujos
Es una vista en sección transversal parcial que muestra una realización de un método de fabricación del inductor espiral de la Figura 1 la presente invención.
Es una vista en sección transversal parcial que muestra un ejemplo de una etapa de fabricación en un procedimiento de fabricación de un inductor espiral en la Fig. 2 forma de realización.
La figura 3 es una vista en planta y una vista en sección transversal que muestra un ejemplo de un método convencional para la fabricación de un inductor espiral.
La Figura 4 es una vista en sección parcial que muestra un ejemplo de una etapa de fabricación en un procedimiento de fabricación de un inductor espiral convencional.
1 sustrato
2 película de óxido
3 Patrón de cableado
4 chapado en oro
5 capas de alimentación
6 fotorresistencia
10 patrón de conductor
Reclamo
En una superficie principal de la reivindicación 1 un sustrato semiconductor para formar una primera plantilla de conductor de la primera segunda amplio primera anchura predeterminada que la anchura del material conductor de la forma deseada, la primera plantilla de conductor la película aislante se forma sobre la totalidad de dicha se retira una superficie principal para cubrir la película aislante, la capa conductora de la segunda material conductor en dicha una parte de la superficie principal de dicha segunda anchura en la primera plantilla de conductor se forma y el material de resina fotosensible se aplica a la capa de conductores, formando una segunda plantilla de conductor en placas selectivamente el segundo del material fotorresistente fue eliminado tercera porción de material conductor de la anchura que En el inductor en espiral.
Dibujo :
Application number :1994-005785
Inventors :日本電気株式会社
Original Assignee :梅本毅、細野泰宏