Dispositivo de dispositivo semiconductor
Descripción general
 Solder fluya para prevenir a la parte inferior del recipiente para alojar un elemento semiconductor que se forman los terminales, tales como terminales de entrada y terminales de salida, y entre la superficie inferior y la placa de circuito eléctrico 5 de un recipiente para alojar un elemento semiconductor Dispositivo de dispositivo semiconductor capaz de evitar un cortocircuito entre los terminales 2, 3 y 4 incluso cuando entra una pieza conductora diminuta. ] Un recipiente 1 para el alojamiento del elemento semiconductor, el dispositivo de elemento semiconductor que tiene una pluralidad de terminales 2 y 3 proporcionada en la superficie inferior del fondo del recipiente y el recipiente 1, una pluralidad de terminales 2 formado en el fondo del recipiente, 3 está recubierto con una soldadura de resistencia 11.
Campo técnico
La presente invención se refiere a un dispositivo de dispositivo semiconductor para evitar un cortocircuito entre una pluralidad de terminales formados en la superficie inferior de un contenedor de almacenamiento.
Antecedentes de la técnica
Convencionalmente, los transistores de efecto de campo de arsénico de galio (FET) y los transistores de silicio son ejemplos de elementos semiconductores usados ​​en bandas de alta frecuencia tales como microondas.
Estos elementos semiconductores generalmente se almacenan en contenedores. En la superficie inferior del contenedor, se proporcionan una pluralidad de terminales a conectar a los elementos semiconductores alojados en el mismo, y el dispositivo del dispositivo semiconductor está ensamblado.
La figura 4 muestra un ejemplo de un dispositivo de dispositivo semiconductor convencional que tiene dicha configuración.
En la figura 4, el número de referencia 1 denota un recipiente hecho de un material dieléctrico tal como cerámica de alúmina o un metal. Un elemento semiconductor de alta frecuencia está alojado dentro del contenedor 1, y un terminal de entrada 2, un terminal de salida 3 y un par de terminales de conexión a tierra 4 están fijados a la superficie inferior del contenedor 1. Estos terminales 2, 3 y 4 están conectados eléctricamente al elemento semiconductor alojado dentro del contenedor 1. Cuando el dispositivo semiconductor es un FET, el terminal de entrada 2 está conectado a la puerta, el terminal de salida 3 al desagüe y el terminal de masa 4 a la fuente.
El dispositivo de dispositivo semiconductor que tiene la estructura anterior está montado en una placa de circuito como se muestra en la figura 5, por ejemplo.
En la figura 5, el número de referencia 5 indica una placa de circuito eléctrica hecha de vidrio de teflón en la que se forman patrones de circuito tales como conductores de microbanda 6, 7. El número de referencia 8 denota un orificio pasante formado en la placa de circuito eléctrico 5. Una superficie conductora 9 para la conexión a tierra se forma alrededor del orificio pasante 8 y la superficie interior del orificio pasante 8. Esta superficie conductora 9 está conectada al conductor de tierra 10 en el lado posterior de la placa de circuito eléctrico 5.
Entonces, un par de terminal de tierra 4 del dispositivo de elemento semiconductor como flechas de puntos, se forma el ho le 8 superficie conductora dos sul 9 alrededor de cada y un terminal 3 terminal de entrada 2 y de salida, el micro Y fijado a los conductores de cinta 6 y 7 con soldadura o similar.
Tarea de solución
En el dispositivo de dispositivo semiconductor que tiene la configuración anterior, cuando la soldadura de los terminales 2, 3 y 4 a la placa de circuito eléctrico 5, el volumen de la soldadura y su condición de flujo, la soldadura (no mostrados). De los terminales 2 y 3 , 4 y fluya hacia la parte inferior del contenedor 1, en cortocircuito con los terminales 2, 3, 4 a veces.
Además, durante las operaciones de soldadura separado de este, (no mostrados). Tiras conductoras finas en tal error operativo entra entre la superficie inferior y la placa de circuito eléctrico 5 del recipiente, con lo que los terminales 2 y 3, 4 puede estar cortocircuitado.
La presente invención, incluso si la soldadura fluye hacia la parte inferior del recipiente para alojar un elemento semiconductor que se forman los terminales, tales como terminales de entrada y terminales de salida, también la cara inferior y el circuito eléctrico del recipiente para alojar un elemento de substrato semiconductor 5 De modo que es posible evitar un cortocircuito entre los terminales 2, 3 y 4 incluso si entra una pieza conductora de un minuto entre los terminales 2, 3 y 4.
Solución
La presente invención incluye un recipiente para almacenar el elemento de semiconductor, el dispositivo de elemento semiconductor que tiene una pluralidad de terminales dispuestos en el fondo del recipiente, de la superficie inferior y la pluralidad de terminales de dicho recipiente, al menos en parte un material conductor Se aplica una parte de la resistencia de soldadura.
Según el dispositivo de elemento semiconductor que tiene la estructura descrita anteriormente, de la superficie inferior y la pluralidad de terminales de dicho recipiente, y la aplicación de máscara de soldadura en al menos una parte de la porción que es un material conductor tal como una pluralidad de terminales. Al aplicar esta resistencia de soldadura, puede suprimirse el flujo de soldadura a la superficie inferior del contenedor donde se forman los terminales. Incluso si entran pequeñas piezas conductoras, es posible evitar un cortocircuito entre los terminales.
De aquí en adelante, se describirá una realización de la presente invención con referencia a la FIG. Las mismas partes que las de la técnica anterior se indican con los mismos números de referencia.
1 es un recipiente hecho de material dieléctrico tal como cerámica de alúmina o metal. Un elemento semiconductor de alta frecuencia está alojado dentro del contenedor 1. En la superficie inferior del contenedor 1, el terminal de entrada 2, el terminal de salida 3 y el par de terminales de conexión a tierra 4 son fijos. Estos terminales 2, 3 y 4 están conectados eléctricamente al elemento semiconductor alojado dentro del contenedor 1. Por ejemplo, cuando el dispositivo semiconductor es un FET, el terminal de entrada 2 está conectado a la puerta, el terminal de salida 3 al desagüe y el terminal de masa 4 a la fuente.
Además, la superficie inferior y el recipiente 1, la porción expuesta de los terminales respectivas anteriores 2, 3 y 4 fijado a la superficie inferior del mismo, la resistencia a la soldadura 11 se aplica como por ejemplo indicada por líneas oblicuas.
El dispositivo de dispositivo semiconductor que tiene la estructura anterior está montado en una placa de circuito eléctrico como se muestra en la figura 2, por ejemplo.
En la figura 2, el número de referencia 5 indica una placa de circuito eléctrica hecha de vidrio de teflón, sobre la cual se forman patrones de circuito tales como conductores de microbanda 6 y 7.
El número de referencia 8 denota un orificio pasante formado en la placa de circuito eléctrico 5. Una superficie conductora 9 para la conexión a tierra se forma alrededor del orificio pasante 8 y la superficie interior del orificio pasante 8. Esta superficie conductora 9 está conectada al conductor de tierra 10 en el lado posterior de la placa de circuito eléctrico 5.
Entonces, un par de terminal de tierra 4 del dispositivo de elemento semiconductor como se indica por la flecha de puntos, en dos sul ho le 8 superficie conductora 9 se forma alrededor de cada uno y un terminal de entrada 2 y la salida del terminal 3, Y fijado a los conductores de microbanda 6 y 7 con soldadura o similar.
Cuando la soldadura de los respectivos terminales 2, 3 y 4 a la placa de circuito eléctrico 5, el volumen de la soldadura y su condición de flujo, la soldadura (no mostrados). Para obtener la parte inferior del recipiente 1 transferido a los terminales 2, 3 y 4 Intenta fluir en la parte. Sin embargo, puesto que la máscara de soldadura 11 en la superficie inferior y los terminales 2, 3 y 4 del recipiente 1 se ha aplicado, el exceso de soldadura por la resistencia a la soldadura 11 se puede evitar que fluye en el fondo del recipiente. Por lo tanto, se puede evitar un cortocircuito entre los terminales 2, 3 y 4.
Además, cuando la soldadura por separado de esto, se aplica pieza conductora fina tal como un error de operación (no se muestra). También se introducen entre la superficie inferior y la placa de circuito eléctrico 5 del recipiente, la resistencia a la soldadura 11 , Es posible evitar un cortocircuito entre los terminales 2, 3 y 4.
En la realización anterior, se ha descrito el caso en el que el elemento semiconductor tiene tres terminales como un FET, pero la presente invención también es aplicable al caso en el que el elemento semiconductor tiene dos terminales como un diodo.
En este caso, como se muestra en la figura 3, no hay un terminal de tierra en la superficie inferior del contenedor 1, y el número de terminales es dos. La resistencia 11 de soldadura se aplica a cada uno de los terminales 2, 3 y a la porción de material conductor del fondo del contenedor, como se indica por eclosión en el dibujo.
En la realización descrita anteriormente, la resistencia a la soldadura se aplica sobre toda la superficie inferior del contenedor incluyendo una pluralidad de terminales y terminales.
Sin embargo, dependiendo del tipo de semiconductor que está alojado en el interior del contenedor, el fondo del recipiente es también el caso del aislante, tal caso, no siempre es necesario aplicar la máscara de soldadura en la porción de fondo del recipiente.
Además, no es necesario aplicar una resistencia de soldadura a todos los terminales formados en la superficie inferior del contenedor.
En la presente invención, un tipo semiconductor y las condiciones de uso, teniendo en cuenta las condiciones de trabajo, de la superficie inferior de la pluralidad de terminales y el recipiente se forma en la superficie inferior del recipiente, al menos una porción de la porción de material conductor expuesta al exterior, la selección Se aplica una resistencia de soldadura.
Con tal configuración, es posible evitar que la soldadura fluya al fondo del contenedor y provoque un cortocircuito entre los terminales.
Efecto de la invención
Según la presente invención, para suprimir el flujo de soldadura a la parte inferior del recipiente para el alojamiento del dispositivo semiconductor, también en el caso en que tira conductora fina ha entrado en el fondo del recipiente, proporcionando el dispositivo de dispositivo semiconductor para evitar un cortocircuito entre los terminales Tu puedes
Breve descripción de los dibujos
La figura 1 es una vista en perspectiva que muestra una realización de la presente invención.
La figura 2 es una vista en perspectiva que muestra un estado en el que el dispositivo de dispositivo semiconductor de la presente invención está montado en una placa de circuito eléctrico.
La figura 3 es una vista en perspectiva que muestra otra realización de la presente invención.
La figura 4 es una vista en perspectiva que muestra un dispositivo de elemento semiconductor convencional.
La figura 5 es una vista en perspectiva que muestra un estado en el que un dispositivo de dispositivo semiconductor convencional está montado en una placa de circuito eléctrico.
1 ... contenedor
2 ... terminal de entrada
3 ... Terminal de salida
4 ... Terminal de conexión a tierra
5 ... placa de circuitos eléctricos
6, 7 ... conductor de microbanda
8 ... Sulfol
9 ... superficie conductiva
10 ... conductor a tierra
11 ... Resistir
Reclamo
Un recipiente para el alojamiento de las reivindicaciones 1 elemento semiconductor, el dispositivo de elemento semiconductor que tiene una pluralidad de terminales dispuestos en el fondo del recipiente, de la superficie inferior y la pluralidad de terminales de dicho recipiente, al menos una porción que es un material conductor En el que se aplica una resistencia de soldadura a dicho elemento semiconductor.
Dibujo :
Application number :1994-005766
Inventors :株式会社東芝
Original Assignee :安部文一朗、柴田清裕