Medio para pulverización y dispersión y método de preparación de materia prima ITO de alta pureza
Descripción general
 Se describen un medio para triturar y dispersar que puede evitar la contaminación de impurezas en una materia prima de ITO en una etapa de pulverización y mezclado y dispersión y un método de preparación de una materia prima ITO de alta pureza. ] Primero, se colocan 100 g de un polvo mezclado con polvo de In 2 O 3 y polvo de SnO 2 de pureza de 4 N en una proporción de 90:10 en una maceta de nylon que tiene una capacidad de 3 l. Entonces coloca de manera que la densidad relativa de la olla se convierte en volumen 1l de φ10mm forma de bola medios de molienda para la dispersión que consiste en 92% del cuerpo sinterizado de ITO, después de agua pura se añadieron 200 g, a 70 rpm en un molino de bolas de pie 10hr Gire y mezcle para obtener lodo. A continuación, la suspensión espesa obtenida se seca para obtener una materia prima de ITO. Entonces disparado después de formar la materia prima de ITO en una forma predeterminada, se sometió a formación de la película por pulverización catódica usando un cuerpo sinterizado para obtener una película de ITO de baja resistencia con alta pureza.
Campo técnico
La presente invención se refiere a un medio para triturar y dispersar y a un método para preparar una materia prima de ITO de alta pureza usando el medio.
Antecedentes de la técnica
En general, de ITO se utiliza ampliamente como un material tal como una película conductora transparente o una película antirreflectante, película de ITO la OIC y materiales, pulverización catódica, ha sido depositado por un método tal como deposición de vapor o pulverización.
En los últimos años, se ha requerido que las películas ITO utilizadas para pantallas planas tengan una menor resistencia y una mayor transmitancia debido a una mayor definición y al mayor tamaño de las pantallas. En respuesta a estas demandas, es importante aumentar el valor de la resistencia y minimizar las impurezas que obstaculizan la transparencia tanto como sea posible. Además, cuando se utiliza para dispositivos como TFT (Transistor de película delgada), las impurezas que afectan negativamente a los componentes del dispositivo también son problemáticas.
Esto es, en la preparación de material de ITO, y el aumento de la resistencia de la película de ITO, una impureza tal como para inhibir la transparencia (por ejemplo Al2 O3, ZrO2, SiO2, etc.) y, lo que afecta negativamente a las impurezas al sustrato en sí (por ejemplo Na, K, Fe, etc.) tanto como sea posible, y para mejorar la pureza.
Convencionalmente, en la preparación de materia prima de ITO, durante la molienda se mezcla con el polvo de óxido de indio y polvo de óxido de estaño, la mejora de la eficiencia de mezcla se ha logrado mediante el uso de un medio de molienda. Como los medios de trituración anteriores, se usa Al2O3, zirconia parcialmente estabilizada (PSZ) y similares, y se han usado otros tales como bolas de nailon duras que se mezclan y volatilizan mediante tratamiento posterior.
Sin embargo, de acuerdo con el método de usar como un medio de molienda, tales como Al2 O3 y PSZ, hay un problema de que la contaminación de impurezas es inevitable debido al desgaste, tales como medios de molienda en sí Al2 O3 y PSZ durante la molienda y mezcla. Además, de acuerdo con el método de uso de lo que se volatiliza por contaminar ser trabajado como un bolas de nylon tales duros como medios de molienda, hay un problema de que el costo del proceso de volatilización tales como bola de nylon voluntad con alta.
Por otro lado, sin mezclar el polvo In2 O3 y polvo de SnO2 por métodos convencionales de mezclado, también se ha desarrollado un método tal que contiene SnO2 por tales coprecipitación durante In2 O3, dispersar SnO2 acuerdo con este método Sin embargo, existe el problema de que el proceso de fabricación de la materia prima se complica y el costo de la materia prima aumenta.
En el proceso de producción del cuerpo sinterizado, pero para facilitar el moldeo mediante la mezcla de una ayuda de moldeo (tal como un agente de unión), existe el uso de medios como se describió anteriormente para mejorar el efecto de mezcla en este proceso de dispersión , Que también es la causa de la contaminación de impurezas.
Tarea de solución
Como se describió anteriormente, los medios de trituración usados ​​en el método convencional para preparar materias primas ITO tienen el problema de que la contaminación de la materia prima de ITO con impurezas no se puede evitar debido a la abrasión del propio medio o similar.
La presente invención tiene como objetivo resolver los problemas de la técnica anterior descrito anteriormente, proporcionar un proceso para la preparación de impurezas medios de molienda para la dispersión y alta pureza de ITO materia prima se puede evitar que la mezcla en el material de ITO en la molienda y mezcla del proceso de dispersión .
Solución
La presente [inventor] como resultado de una intensa investigación con el fin de lograr el objeto anterior, el uso del cuerpo sinterizado de ITO producido bajo condiciones específicas como medios de molienda, la inclusión de impurezas se suprime debido al desgaste de los medios de molienda en sí Se hizo posible preparar una materia prima de ITO de alta pureza y alcanzó la presente invención.
Es decir, la presente invención, el medio de molienda para la dispersión densidad relativa, que comprende el cuerpo sinterizado de ITO es 85% o más; un proceso para la preparación de materia prima de ITO compuesto principalmente de y In2 O3, el mezclado dispersivo Un medio para triturar y dispersar que comprende un cuerpo sinterizado ITO que tiene una densidad relativa de 85% o más en la etapa de preparación de una materia prima de ITO.
De acuerdo con un método para la preparación del material de ITO de la presente invención, durante la molienda y mezcla del tratamiento de dispersión, la densidad relativa es con 85% o más de de ITO cuerpo sinterizado como medios de molienda para la dispersión. Al usar dicho medio para triturar y dispersar, se suprime la contaminación de impurezas en el paso del proceso anterior.
Medios de molienda para la dispersión del cuerpo sinterizado de ITO en la presente invención es deseablemente la misma composición que la de ITO del objeto. Es decir, usando un medio que tiene la misma composición que el de ITO, la contaminación de las impurezas del propio medio se previene completamente. Incidentalmente, ITO generalmente usado contiene SnO2 en una cantidad de 0 15% en peso.
En la preparación del material de ITO, que contiene una tercera hay casos en que se añaden componentes, en tal caso, el tercer componente en medios de molienda para la dispersión con el fin de mejorar tal como un objeto conductor que va a tratarse , Y es preferible que la pureza sea del 99,9% o más, incluido el tercer componente.
La forma del medio para triturar y dispersar en la presente invención puede tener la misma forma que los medios de trituración ampliamente utilizados en el pasado, tales como bolas y cilindros, y las dimensiones apropiadas pueden seleccionarse teniendo en cuenta el efecto del tratamiento. Deberías hacer Sin embargo, los medios de molienda para la dispersión del cuerpo sinterizado de ITO de la presente invención, ya que una gran resistencia al desgaste en comparación con los medios de molienda convencionales, no por ejemplo, práctica en si phi 0,5 mm o menos en el caso de los más en forma de bola.
Medios de molienda para la dispersión en la invención, la materia prima polvo de la prensa de moldeo de ITO, moldeo CIP o por un método tal como el método de laminación se obtiene por moldeo y sinterización, desgaste y la fractura a una densidad relativa de menos del 85% del cuerpo sinterizado Y no es práctico. Esto se debe a una densidad relativa de menos de 85% malas propiedades mecánicas tales como la resistencia y la dureza Vickers del cuerpo sinterizado de flexión, hay una tendencia a que la fuerza del cuerpo sinterizado se incrementa en 85% o más.
De aquí en adelante, la presente invención se describirá con más detalle mediante ejemplos. Sin embargo, el alcance de la presente invención no está limitado por los siguientes ejemplos.
Una realización de la presente invención se describirá a continuación.
Primero, se colocaron 100 g de un polvo mezclado con polvo de In 2 O 3 y polvo de SnO 2 con una pureza de 4 N en una proporción de 90:10 en un recipiente de nylon que tenía un volumen de 3 l. Luego se coloca de manera que la densidad relativa de la olla se convierte en volumen 1L en forma de bola medios de molienda para la dispersión de φ10mm que consiste en 92% de los de ITO cuerpo sinterizado, después de agua pura se añadieron 200 g, a 70 rpm en un soporte molino de bolas La mezcla se hizo girar durante 10 horas para obtener una suspensión. A continuación, la suspensión espesa obtenida se secó para obtener una materia prima de ITO.
La cantidad de impurezas en la materia prima de ITO obtenida como se describió anteriormente se midió mediante análisis de emisión de ICP, y los resultados se muestran en la Tabla 1.
Por cierto, Pb, Bi, Ni, fueron sometidos a medición también el contenido de elementos de Cd y Zn, el contenido de estos elementos era el mismo que el contenido en el polvo de materia prima.
A continuación, por el disparo después de formar la materia prima de ITO en una forma predeterminada, se sometió a formación de la película por pulverización catódica usando un cuerpo sinterizado, para obtener una película de ITO de baja resistencia con alta pureza. La suspensión espesa anterior se puede usar como un agente de revestimiento de vidrio (agente de recubrimiento).
Excepto que la densidad relativa con medios de molienda para la dispersión que consiste en 80% del cuerpo sinterizado de ITO de la misma manera que en el Ejemplo 1 para obtener una materia prima de ITO, el material resultante se sometió a las mismas mediciones que en el Ejemplo 1. Como resultado, podrían obtenerse los mismos valores numéricos que en el Ejemplo 1 para la cantidad de impurezas.
En este ejemplo comparativo, las bolas del cuerpo sinterizado ITO se agrietaron durante la mezcla de las materias primas, y permanecieron como una masa en el polvo.
Al2 O3 bolas 10φmm pureza 96%, excepto que la pureza utilizando bolas de Al2 O3 10φmm 99,9% o 10φmm de bolas PSZ (Y2 O3 3% mol), respectivamente, como medios de molienda de la misma manera que en el Ejemplo 1 Se obtuvo la materia prima de ITO, y las materias primas obtenidas se analizaron de la misma manera que en el Ejemplo 1, y los resultados también se muestran en la Tabla 1.
Como puede verse en la Tabla 1, en el caso de realizar la preparación de la materia prima de ITO usando medios de molienda convencional, mientras que el componente principal que sirve impurezas respectivos medios de comunicación se incluyeron en la materia prima de ITO debido al desgaste, la presente invención en el caso de la utilización de los medios de trituración para la dispersión es se observó incorporación de impurezas en la materia prima de ITO.
Efecto de la invención
El desarrollo del proceso para la preparación de los medios de trituración para la dispersión y el material de ITO de alta pureza de la presente invención, la mezcla, molienda, adulteración en la etapa de tratamiento de dispersión, había de ser económica y fácilmente evitado. Por lo tanto, la película ITO hecha de esta materia prima ITO tiene alta pureza y baja resistencia, y puede satisfacer suficientemente las demandas recientes.
Reclamo
Reivindicación 1 Un medio para pulverización y dispersión caracterizado por comprender un cuerpo sinterizado ITO que tiene una densidad relativa de 85% o más.
Un procedimiento para la preparación de la reivindicación 2, óxido de indio y estaño (ITO) de material de alta pureza, de ITO, caracterizado por el uso de medios de molienda para la dispersión densidad relativa del cuerpo sinterizado de ITO es 85% o más en su etapa de dispersión Método para preparar materias primas.
Application number :1994-002108
Inventors :同和ケミカル株式会社、同和鉱業株式会社
Original Assignee :江島光一郎、戸石光輝、工藤佳則