Dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor
Descripción general
 Un objeto de la presente invención es una unidad de paquete de circuito integrado semiconductor que tiene un paquete de resina es el de proporcionar una unidad de paquete de circuito integrado semiconductor que tiene una estructura para la prevención de la corrosión de un chip de circuito integrado semiconductor de acuerdo con los iones móviles. El dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor según la presente invención, el sustrato revestido, el semiconductor integrado chip de circuito instalado en un sustrato, los terminales de los cables, el chip de circuito integrado semiconductor y el cable y sus componentes que conectan los terminales de los cables de una resina sintética Donde la resina contiene una resina de intercambio iónico. El paquete de semiconductor según la presente invención se caracteriza porque el paquete de resina contiene una resina de intercambio iónico.
Campo técnico
La presente invención se refiere a un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor en el que el chip de circuito integrado semiconductor sellado sello de plástico, y más particularmente a una mejora de un dispositivo de envasado de circuito integrado semiconductor para prevenir la contaminación del chip de circuito integrado semiconductor por iones móviles.
Antecedentes
En los últimos años, en muchos casos, los chips de circuitos integrados de semiconductores se encapsulan directamente con resina sintética moldeada y se comercializan como dispositivos de paquete de circuitos integrados semiconductores. Para cubrir el chip semiconductor circuito integrado, principalmente se utiliza resina epoxi, un agente de acoplamiento o agente de liberación interna tal como una cera de relleno y éster de ser necesario, un retardante de llama tales como los compuestos Br, colorantes, tales como resina de negro de humo .
En el aparato convencional de envasado de circuitos integrados de semiconductores, no se han tomado contramedidas para los iones móviles que intentan entrar en el chip. La Figura 8 es un diagrama que muestra una unidad convencional integrado semiconductor paquete de circuito, el alambre en una unidad de paquete de circuito integrado semiconductor (70), el sustrato (3) previsto en el chip de circuito integrado semiconductor (2) es el terminal del cable (4) (5) y está encerrado en el paquete de resina moldeada (71). El paquete de resina (61) está hecho de una resina epoxi a la que se añaden un retardante de llama, una carga, un agente de acoplamiento y similares.
Tarea de solución
En el dispositivo de embalaje de circuito integrado semiconductor como se muestra en la Fig. 8, las medidas de iones móviles estar entrando en el chip de circuito integrado semiconductor no se lleva a cabo (2), los iones móviles que entran desde la parte de la almohadilla de la chip de circuito integrado semiconductor, Existe la posibilidad de contaminar el chip del circuito integrado del semiconductor.
Por consiguiente, un objeto de la presente invención se ha realizado para resolver los problemas como se describió anteriormente, en la unidad de paquete de circuito integrado semiconductor que tiene un paquete de resina, que tiene una estructura para la prevención de la corrosión del chip de circuito integrado semiconductor por iones móviles Y para proporcionar un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor.
Solución
Es decir, un dispositivo de paquete de circuito integrado de semiconductor según una primera invención de la presente invención comprende un sustrato, un chip de circuito integrado de semiconductor montado en el sustrato, un terminal de cable, un cable que conecta el chip de circuito integrado de semiconductor y el terminal principal. Un paquete de resina obtenido cubriendo el paquete de resina con una resina, en el que la resina contiene una resina de intercambio iónico.
Se añadió resina de intercambio iónico a la resina sintética usada para formar el envase de resina es una mezcla de resina de intercambio catiónico, resina de intercambio aniónico, una resina de intercambio resina de intercambio iónico o resina de intercambio catiónico y aniónico anfótero Tu puedes hacer La resina de intercambio catiónico se puede usar para evitar la contaminación del chip del circuito integrado de semiconductores debido a cationes tales como iones Na +. Aquí, la resina sintética no está particularmente limitada, y se puede usar una comúnmente usada, por ejemplo, se puede mencionar una resina epoxi o similar. Si es necesario, pueden añadirse retardantes de llama convencionales tales como compuestos de Br, cargas y similares a la resina.
La resina de intercambio catiónico utilizada en la presente invención no está particularmente limitada, y puede ser, por ejemplo, una resina de ácido fenolsulfónico o una resina de ácido carboxílico. Tal material de resina de intercambio catiónico puede mezclarse, por ejemplo, en forma de gránulos, esferas o películas, tal como está o después de algún procesamiento.
Además, la resina de intercambio catiónico puede añadirse a la resina de moldeo a una concentración uniforme, puede tener diferentes concentraciones y distribuciones de tamaño de partículas, o puede añadirse con una capa a la que se añade una resina de intercambio catiónico. O una estructura multicapa en la que las capas no superpuestas entre sí pueden apilarse. Esto hace posible controlar la fuerza y ​​el estrés de la resina del molde. Por cierto, la resina de intercambio catiónico puede utilizarse en consideración de la influencia de los iones móviles de tipo de interés y el paquete de circuito integrado semiconductor que se ajusta a la forma iónica deseada.
A continuación, los ejemplos de la resina de intercambio aniónico usada en la presente invención incluyen resina de amonio cuaternario y similares. La resina de intercambio aniónico puede evitar la contaminación del chip del circuito integrado de semiconductores debido a aniones móviles tales como Cl - o similares. El uso de una resina de intercambio aniónico se ajusta al uso de la resina de intercambio catiónico.
A continuación, como resina anfótera de intercambio iónico utilizada en la presente invención, se pueden mencionar, por ejemplo, resina de quelato, resina de caja de serpiente y similares. Las resinas de intercambio iónico anfóteras pueden capturar cationes y aniones móviles en la mayoría de los rangos de pH y pueden evitar la contaminación de los chips de circuitos integrados de semiconductores por cationes y aniones. El uso de una resina de intercambio aniónico se ajusta al uso de la resina de intercambio catiónico.
Cuando la resina de intercambio catiónico y la resina de intercambio aniónico se mezclan en el paquete de resina al mismo tiempo, se puede obtener el mismo efecto que cuando se mezcla resina de intercambio iónico anfolítica.
A continuación, un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con el segundo aspecto de la presente invención, el sustrato, el semiconductor integrado chip de circuito instalado en un sustrato, de los cables y su estructura de conexión de los terminales de los cables, el chip de circuito integrado semiconductor y el terminal de plomo Un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor que comprende un paquete de resina obtenido cubriendo un miembro con una resina sintética, donde una película de resina de una resina de intercambio iónico o una película de resina a la que se agrega una resina de intercambio iónico se lamina en un sitio deseado en el paquete de resina Como se muestra en la FIG.
Según un tercer aspecto de la presente invención, se proporciona un aparato de paquete de circuito integrado de semiconductor que comprende un sustrato, un chip de circuito integrado de semiconductor montado en el sustrato, un terminal de cable, un cable que conecta el chip de circuito integrado de semiconductor y el terminal principal. De un paquete de resina obtenido recubriendo un sustrato con un paquete de resina obtenido recubriendo un sustrato con un paquete de semiconductor, un chip de circuito integrado de semiconductor, un terminal de plomo y un paquete de resina en las interfaces deseadas, una película de resina de una resina de intercambio iónico o ion Y colocando una película de resina a la cual se agrega una resina de intercambio.
De acuerdo con un cuarto aspecto de la presente invención, se proporciona un aparato de paquete de circuito integrado de semiconductor que comprende un sustrato, un chip de circuito integrado de semiconductor montado en el sustrato, un terminal de cable, un cable que conecta el chip de circuito integrado semiconductor y el terminal principal. De un paquete de resina obtenido recubriendo un sustrato con un paquete de resina obtenido recubriendo un sustrato con un paquete de semiconductor, un chip de circuito integrado semiconductor, un terminal de plomo y un paquete de resina en las interfaces deseadas, una película de resina de una resina de intercambio iónico o un ion Colocar una película de resina a la que se agrega una resina de intercambio y laminar una película de resina de una resina de intercambio iónico o una película de resina a la que se agrega una resina de intercambio iónico en un sitio deseado en el paquete de resina.
resinas de intercambio iónico utilizados en la segunda invención a través de la cuarta película de resina añaden con una resina de película de resina o de intercambio iónico de la resina de intercambio de iones del dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor según la invención de la presente invención, de intercambio de cationes dependiendo de la aplicación Se puede usar una resina, una resina de intercambio aniónico, una resina de intercambio iónico anfótera, o una combinación de una resina de intercambio catiónico y una resina de intercambio aniónico. Además, dependiendo del sitio de uso de la película de resina, se puede cambiar el tipo de resina de intercambio iónico.
En el aparato de empaquetado de circuito integrado de semiconductor según los aspectos primero a cuarto de la presente invención como se describió anteriormente, es probable que los iones unidos a grupos de intercambio de resinas de intercambio iónico existentes penetren en un chip de circuito integrado de semiconductor o en un paquete de resina. Intercambio iónico con iones móviles no deseados con cargas eléctricas para evitar la invasión de iones móviles. En ese momento, se supone que se llevan a cabo la siguiente reacción de neutralización, reacción de descomposición de sal neutra y reacción de doble descomposición. Aquí, R representa un sustrato de resina.
En caso de resina de intercambio catiónico
(Reacción de neutralización)
R H + NaOH → R Na + H 2 O
(Reacción de descomposición de sal neutra)
R H + NaCl → R Na + HCl
(Reacción de metátesis)
R Na + KCl → R K + NaCl
En el caso de una resina de intercambio aniónico
(Reacción de neutralización)
R OH + HCl → R Cl + H 2 O
(Reacción de descomposición de sal neutra)
R OH + NaCl → R Cl + NaOH
(Reacción de metátesis)
R Cl + NaBr → R Br + NaCl
Por lo tanto, mediante el ajuste de los grupos de intercambio de la resina de intercambio iónico utilizada en ion forma que es inofensivo para la unidad de paquete de circuito integrado semiconductor, iones móviles nocivos capturados resina de intercambio iónico, una unidad de paquete de circuito integrado semiconductor, especialmente un circuito integrado semiconductor Es posible evitar la entrada de iones móviles perjudiciales en el chip.
Ejemplo 1. La figura 1 es una vista que muestra una realización de un aparato de paquete de circuito integrado semiconductor de la presente invención. En la unidad de paquete de circuito integrado semiconductor (7), el sustrato (3) un chip de circuito integrado semiconductor (2) previsto en está conectado a la terminal del cable (4) de un alambre (5), y moldeado paquete de resina (1 Como se muestra en la FIG. Aquí, el paquete de resina (1) está hecho de una resina epoxi a la que se añade un retardante de llama, una carga y similares, a la que se añade una resina de intercambio catiónico (6). La contaminación del chip del circuito integrado semiconductor (2) debido a los iones móviles se puede evitar mediante la reacción de intercambio iónico entre la resina de intercambio catiónico (6) y el catión móvil.
Ejemplo 2 La figura 2 es un diagrama que muestra otra realización del aparato de paquete de circuito integrado semiconductor de la presente invención. El dispositivo de paquete de circuito integrado de semiconductor (10) tiene la misma estructura que el dispositivo de paquete de circuito integrado de semiconductor (7) mostrado en la primera realización excepto para el paquete de resina (1a). Aquí, el paquete de resina (1a) está hecho de una resina epoxi a la que se añade un retardante de llama, una carga y similares, a la que se añade una resina de intercambio aniónico (11). La reacción de intercambio iónico entre la resina de intercambio aniónico (11) y el anión móvil puede evitar la contaminación del chip debido a aniones móviles.
Ejemplo 3. La figura 3 es una vista que muestra aún otra realización del dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de la presente invención. El dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor (20) tiene la misma configuración que el dispositivo de paquete de circuito integrado de semiconductor (7) mostrado en la primera realización excepto por el paquete de resina (1 b). Aquí, el paquete de resina (1b) del retardador de llama, un agente de relleno, etc., están hecha de la resina epoxi añadido, a la que se añadió una resina de intercambio iónico anfótero (21). La reacción de intercambio iónico entre la resina de intercambio iónico anfótera (21) y el catión móvil y el anión móvil simultáneamente pueden contaminar el chip del circuito integrado del semiconductor debido a cationes y aniones en casi todo el rango de pH.
Ejemplo 4. La figura 4 es un diagrama que muestra otra realización del aparato de paquete de circuito integrado semiconductor de la presente invención. El dispositivo de paquete de circuito integrado de semiconductor (30) tiene la misma configuración que el dispositivo de paquete de circuito integrado de semiconductor (7) mostrado en la primera realización excepto por el paquete de resina (1c). Aquí, el paquete de resina (1c) está hecho de una resina epoxi a la que se añade un retardante de llama y una carga, etc., a la que se añaden simultáneamente una resina de intercambio catiónico (6) y una resina de intercambio aniónico (11). De esta manera, se puede obtener el mismo efecto que el de la tercera realización.
Ejemplo 5. La figura 5 es una vista que muestra aún otra realización del dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de la presente invención. En un dispositivo de paquete de circuito integrado de semiconductor (40), un chip de circuito integrado de semiconductor (2) provisto en un sustrato (3) se conecta a un terminal de cable (4) con un cable (5), y un paquete de resina moldeada ) Aquí, el paquete de resina (41) está hecho de una resina epoxi a la que se agrega un retardante de llama, una carga y similares, y se le puede agregar una resina de intercambio iónico. Se puede formar una película de resina de una resina de intercambio iónico o una película de resina (46) añadida con una resina de intercambio iónico sobre el paquete de resina (41). La película de resina (46) puede cubrir la totalidad del paquete de resina (41), o puede cubrir solo una posición predeterminada en el paquete de resina (41), por lo que los iones móviles se inyectan en el paquete de resina. 41) de entrar al espacio. En la presente realización, como la resina de intercambio iónico utilizada para el paquete de resina (41) o una película de resina (46), y resinas de intercambio catiónico, resinas de intercambio aniónico, resina de intercambio iónico anfótera o resina de intercambio catiónico de acuerdo con la intención Se puede usar una resina de intercambio aniónico.
Ejemplo 6 La figura 6 es una vista que muestra otra realización del aparato de paquete de circuito integrado semiconductor de la presente invención. En un dispositivo de paquete de circuito integrado de semiconductor (50), un chip de circuito integrado de semiconductor (2) provisto en un sustrato (3) está configurado para conectarse a un terminal de conexión (4) con un cable (5) terminales de plomo que rodea, por ejemplo un chip de circuito integrado semiconductor (2), (4) y se añadieron las resinas de película de resina o de intercambio iónico a la resina de intercambio de iones en un sitio tal como la interfaz entre la película de resina paquete de resina (56) está formada Y está encerrado en un paquete de resina moldeada (51). Aquí, el paquete de resina (51) está hecho de una resina epoxi a la que se añaden un retardante de llama y una carga, y se puede añadir una resina de intercambio iónico a esto. Al adoptar esta configuración, se puede evitar la entrada de iones móviles en el paquete de resina (51) y la contaminación del chip de circuito integrado semiconductor (2). En la presente realización, como la resina de intercambio iónico utilizada para el paquete de resina (51) o una película de resina (56), y resinas de intercambio catiónico, resinas de intercambio aniónico, resina de intercambio iónico anfótera o resina de intercambio catiónico de acuerdo con la intención Se puede usar una resina de intercambio aniónico.
Ejemplo 7. La figura 7 es una vista que muestra otra realización del aparato de paquete de circuito integrado semiconductor de la presente invención. En el dispositivo (60) de paquete de circuito integrado semiconductor, un chip (2) de circuito integrado de semiconductor provisto en un sustrato (3) está configurado para conectarse a un terminal (4) de cable con un cable (5) terminales de plomo que rodea, por ejemplo un chip de circuito integrado semiconductor (2), (4) y se añadieron las resinas de película de resina o de intercambio iónico a la resina de intercambio de iones en un sitio tal como la interfaz entre la película de resina paquete de resina (56) está formada Y está encerrado en un paquete de resina moldeada (51). Aquí, el paquete de resina (61) está hecho de una resina epoxi a la que se añaden un retardante de llama y una carga, y se puede añadir una resina de intercambio iónico a esto. En esta realización, una película de resina (46) añadida con una película de resina de una resina de intercambio iónico o una resina de intercambio iónico se forma adicionalmente en el paquete de resina (61). La película de resina (46) puede cubrir la totalidad del paquete de resina (61), o puede cubrir solamente una posición predeterminada en el paquete de resina (61). Adoptando esta configuración, se puede evitar la entrada de iones móviles en el paquete de resina (61) y la contaminación del chip de circuito integrado semiconductor (2). En la presente realización, como el paquete de resina (61) o una película de resina (46) o resinas de intercambio iónico utilizados en la película de resina (56), resinas de intercambio catiónico dependiendo del propósito, resinas de intercambio aniónico, resinas de intercambio iónico anfótero O se puede usar una resina de intercambio catiónico y una resina de intercambio aniónico.
Efecto de la invención
En el aparato de envasado de circuitos integrados de semiconductores según la primera invención de la presente invención, dado que la resina que constituye el paquete de resina contiene una resina de intercambio iónico, no es preferible para dispositivos semiconductores móviles tales como cationes móviles y / Es posible evitar la invasión en el chip de circuito integrado semiconductor.
El aparato de paquete de circuito integrado semiconductor según la segunda invención de la presente invención tiene una estructura en la que una película de resina de una resina de intercambio iónico o una película de resina a la que se añade una resina de intercambio iónico está laminada en un sitio deseado en un paquete de resina. Es posible evitar la invasión de cationes y / o aniones móviles en el paquete de resina, que es desfavorable para el dispositivo de paquete de circuito integrado.
El dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con un tercer aspecto de la presente invención, el sustrato es sus miembros constituyentes, un chip de circuito integrado semiconductor y los terminales de plomo y el sitio deseado interfaz de paquete de resina en la resina de película de resina o de intercambio iónico de la resina de intercambio iónico ya que la película de resina añadido tiene una la configuración instalada, no es un efecto que es posible evitar la invasión de cationes y / o aniones del chip de circuito integrado semiconductor para una unidad de paquete de circuito integrado semiconductor móviles indeseables.
El dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con el cuarto aspecto de la presente invención, el sustrato es sus miembros constituyentes, un chip de circuito integrado semiconductor y los terminales de plomo y el sitio deseado interfaz de paquete de resina en la resina de película de resina o de intercambio iónico de la resina de intercambio iónico Y una película de resina de una resina de intercambio iónico o una película de resina a la que se añade una resina de intercambio iónico se lamina en un sitio deseado en el paquete de resina, de modo que para un aparato de paquete de circuito integrado semiconductor Es posible evitar la invasión de cationes y / o aniones móviles no deseados en el chip de circuito integrado semiconductor.
Breve descripción de los dibujos
La figura 1 es una vista en sección transversal que muestra esquemáticamente un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con una realización de la presente invención.
La figura 2 es una vista en sección transversal que muestra esquemáticamente un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con otra realización de la presente invención.
La figura 3 es una vista en sección transversal que muestra esquemáticamente un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con otra realización de la presente invención.
La figura 4 es una vista en sección transversal que muestra esquemáticamente un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con otra realización de la presente invención.
La figura 5 es una vista en sección transversal que muestra esquemáticamente un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con otra realización de la presente invención.
La figura 6 es una vista en sección transversal que muestra esquemáticamente un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con otra realización de la presente invención.
La figura 7 es una vista en sección transversal que muestra esquemáticamente un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor de acuerdo con otra realización de la presente invención.
La figura 8 es una vista en sección transversal que muestra esquemáticamente un dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor convencional.
Paquete de resina 1, 1a, 1b, 1c
2 chip de circuito integrado de semiconductor
3 sustrato
Terminal de 4 terminales
5 hilos
6 resina de intercambio catiónico
7 Dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor
10 Dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor
11 resina de intercambio aniónico
20 Dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor
21 resina de intercambio de iones anfóteros
30 Dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor
40 Dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor
Paquete de resina 41
46 Película de resina
Dispositivo de paquete de circuito integrado de 50 semiconductores
Paquete de resina 51
Película de resina 56
60 Dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor
Paquete de resina 61
70 Dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor
Paquete de resina 71
Reclamo
Incluye la reivindicación 1 sustrato, el semiconductor integrado chip de circuito instalado en un sustrato, el paquete de resina obtenida mediante el recubrimiento de los terminales de los cables, el chip de circuito integrado semiconductor y el alambre y sus componentes que conectan los terminales de los cables de una resina sintética En el que dicha resina contiene una resina de intercambio iónico en dicho dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor.
2. Un dispositivo semiconductor que comprende un sustrato, un chip de circuito integrado de semiconductor montado en el sustrato, un terminal de plomo, un cable que conecta el chip de circuito integrado de semiconductor y el terminal de plomo, y un paquete de resina obtenido cubriendo estos miembros constituyentes con una resina sintética En el que una lámina de resina de una resina de intercambio iónico o una película de resina a la que se añade una resina de intercambio iónico se lamina en una porción deseada del paquete de resina.
3. Un dispositivo semiconductor que comprende un sustrato, un chip de circuito integrado de semiconductor montado en el sustrato, un terminal de plomo, un cable que conecta el chip de circuito integrado semiconductor y el terminal principal, y un paquete de resina obtenido cubriendo estos miembros constituyentes con una resina sintética en la unidad de paquete de circuito integrado semiconductor que consiste, caracterizado por colocar el sustrato, un chip de circuito integrado semiconductor y los terminales de plomo y el sitio deseado interfaz de paquete de resina en la película de resina añadida con una resina de película de resina o de intercambio iónico de la resina de intercambio iónico Dispositivo de paquete de circuito integrado semiconductor.
4. Un dispositivo semiconductor que comprende un sustrato, un chip de circuito integrado de semiconductor montado en el sustrato, un terminal de plomo, un cable que conecta el chip de circuito integrado semiconductor y el terminal de plomo, y un paquete de resina obtenido cubriendo estos miembros constituyentes con una resina sintética Una película de resina de una resina de intercambio iónico o una película de resina a la que se añade una resina de intercambio iónico está dispuesta en un sitio deseado del sustrato, el chip de circuito integrado de semiconductor y la interfaz entre el terminal de plomo y el paquete de resina, y además, la resina En el que una lámina de resina de una resina de intercambio iónico o una película de resina a la que se añade una resina de intercambio iónico se lamina en un sitio deseado en el envase.
Dibujo :
Application number :1994-005740
Inventors :三菱電機株式会社
Original Assignee :古崎浩、森真一